TO-220F插件二极管

公司产品品种规格齐全，桥堆封装有XMBF(新产品)、MBF、MBS、ABS、DB系列， DBF(新产品)、D3K、KBP、KBL、KBU、GBU、GBJ，有普通整流桥、肖特基桥、快恢复桥系列，二极管封装有SOD323、 SOD123、SMAF、SMA、SMB、SMC、DO-41、DO-15、DO-27 有瞬态电压抑制(TVS)、普通整流(STD)、快速恢复(FR)、高效率(HER、UF)、超快速(SF)和肖特基(SKY)等各种系列。

产品描述

参数

　　公司产品品种规格齐全，桥堆封装有XMBF(新产品)、MBF、MBS、ABS、DB系列， DBF(新产品)、D3K、KBP、KBL、KBU、GBU、GBJ，有普通整流桥、肖特基桥、快恢复桥系列，二极管封装有SOD323、 SOD123、SMAF、SMA、SMB、SMC、DO-41、DO-15、DO-27 有瞬态电压抑制(TVS)、普通整流(STD)、快速恢复(FR)、高效率(HER、UF)、超快速(SF)和肖特基(SKY)等各种系列。

　　如果晶体管的共发射极电流放大系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/ib=β，实现了双极晶体管的电流放大作用。

　　金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅 G 电压 VG 增大时， p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时，电子积累层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。当 VDS ≠ 0 时，源漏电极之间有较大的电流 IDS 流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 VT 。当 VGS>VT 并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相同的 VDS 下也将产生不同的 IDS , 实现栅源电压 VGS 对源漏电流 IDS 的控制。

关键词:

桥堆

封装

肖特基桥

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超小型XMBF贴片桥堆